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ASML宣布年底发货第一台高NA EUV极紫外光刻机Twinscan EXE:5000

发布时间:2023-09-08 21:32:46

文章来源:www.1234la.com

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EUV光刻技术的进展相当艰难,光刻机龙头ASML也在苦苦挣扎,一点点进步。

ASML宣布将于今年年底出货首款支持高NA(数值孔径)的EUV极紫外光刻机,型号为“Twinscan EXE:5000”。

ASML宣布年底发货第一台高NA EUV极紫外光刻机Twinscan EXE:5000

NA 数值孔径是光刻机光学系统的重要指标,直接决定光刻机的实际分辨率和可实现的最高工艺节点。

ASML最先进的EUV光刻机是NEX:3400C、NEX:3400D,NA仅为0.33,对应的分辨率为13nm,可以生产金属间距在38-33nm之间的芯片。

但金属间距缩小到30nm以下,即对应的工艺节点超过5nm后,这样的分辨率就不够了,EUV双重曝光和/或曝光成形技术只能起到辅助作用,不仅会大大增加成本,而且还会降低良品率。

因此,更高的NA成为必要,新一代EXE:5000可以达到0.55 NA,光刻分辨率也将缩小至8nm。

EXE:5000有点像芯片制造商学习如何使用高NA EUV技术的实验平台,而预计2025年出货的下一代EXE:5200可以支持量产。

ASML宣布年底发货第一台高NA EUV极紫外光刻机Twinscan EXE:5000

Intel最初计划在其18A(1.8nm)工艺节点使用ASML的高NA EUV光刻机,2025年量产,但后来提前到2024年下半年,等不及ASML的新机了。

因此,Intel改用0.33 NA NXE:3600D/3800E,并叠加双重曝光,实现18A工艺。同时,它采用了应用材料的Endura Sculpta曝光成型系统,最大限度地减少了双重曝光的使用。

尽管如此,英特尔仍将是高NA EUV光刻机的第一个客户,该光刻机可能会在18A节点后期引入。

台积电和三星都计划在 2025 年晚些时候投产 2nm 工艺,也可能会使用高 NA EUV 光刻机。

至于这款先进光刻机的价格,目前还没有官方数据。不同报告估计,单台机器的成本将为3-4亿美元,折合人民币22-29亿元。

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《ASML宣布年底发货第一台高NA EUV极紫外光刻机Twinscan EXE:5000》更新日期为:2024-07-20 22:33:13;目前浏览的小伙伴达到83,1234啦所有作品(图文、音视频以及网站收录)均由用户自行上传分享,仅供网友学习交流,想了解查找更多娱乐头条可以直接搜索查询。若您的权利被侵害,请联系我们。

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